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IPD25N06S4L30ATMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPD25N06S4L30ATMA1
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 8µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 29W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-TO252-3-11
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.3nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1220pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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