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GA20SICP12-247

Fabricants: GeneSiC Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: GA20SICP12-247
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type -
Emballage Tube
Vgs (Max) -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 20A
Dissipation de puissance (Max) 282W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-247AB
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3091pF @ 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) -

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