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TK17E65W,S1X

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TK17E65W,S1X
Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série DTMOSIV
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 900µA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 8.7A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 165W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 17.3A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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