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TPD3215M
| Fabricants: | Transphorm |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Fiche: | TPD3215M |
| Description: | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Transphorm |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | - |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Emballage | Bulk |
| Fet, fonction | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Statut de la partie | Obsolete |
| Puissance - Max | 470W |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / Cas | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Paquet d’appareils fournisseur | Module |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
En stock 67 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $178.83 | $175.25 | $171.75 |
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