L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

EPC2105ENGRT

Fabricants:	EPC
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fiche:	EPC2105ENGRT
Description:	GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	EPC
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	eGaN®
FET Type	2 N-Channel (Half Bridge)
Emballage	Digi-Reel®
Fet, fonction	GaNFET (Gallium Nitride)
Statut de la partie	Active
Puissance - Max	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / Cas	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 2.5mA
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5mOhm @ 20A, 5V
Paquet d’appareils fournisseur	Die
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V
Drain à la tension de source (Vdss)	80V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	9.5A