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TP65H070LDG
| Fabricants: | Transphorm |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fiche: | TP65H070LDG |
| Description: | 650 V 25 A GAN FET |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Transphorm |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | TP65H070L |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Fet, fonction | - |
| Statut de la partie | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | 3-PowerDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipation de puissance (Max) | 96W (Tc) |
| Paquet d’appareils fournisseur | 3-PQFN (8x8) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 400V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 235 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $11.80 | $11.56 | $11.33 |
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