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TP65H070LSG

Fabricants: Transphorm
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TP65H070LSG
Description: 650 V 25 A GAN FET
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Transphorm
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TP65H070L
FET Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 96W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur 3-PQFN (8x8)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 400V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 290 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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