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TK39N60W,S1VF

Fabricants:	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	TK39N60W,S1VF
Description:	MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	DTMOSIV
FET Type	N-Channel
Emballage	Tube
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction	Super Junction
Statut de la partie	Active
Type de montage	Through Hole
Paquet / Cas	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.9mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 19.4A, 10V
Dissipation de puissance (Max)	270W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur	TO-247
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	38.8A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	10V