Fabricants: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | TSM4NB65CI C0G |
Description: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A ITO220 |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Taiwan Semiconductor Corporation |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
FET Type | N-Channel |
Emballage | Tube |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Not For New Designs |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / Cas | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.37Ohm @ 2A, 10V |
Dissipation de puissance (Max) | 70W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | ITO-220AB |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.46nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 549pF @ 25V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.95 | $0.93 | $0.91 |