L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

RN2412TE85LF

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Fiche: RN2412TE85LF
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Résistance - Base (R1) 22 kOhms
Fréquence - Transition 200MHz
Paquet d’appareils fournisseur S-Mini
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

En stock 0 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

RN1116(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DDTC123YUA-7
Diodes Incorporated
$0.3
DDTA124TCA-7
Diodes Incorporated
$0.3
DDTC113ZUA-7
Diodes Incorporated
$0.3
RN1309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0