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RN1309(TE85L,F)

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Fiche: RN1309(TE85L,F)
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SC-70, SOT-323
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Résistance - Base (R1) 47 kOhms
Fréquence - Transition 250MHz
Paquet d’appareils fournisseur USM
Résistance - Base d’émetteur (R2) 22 kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 500nA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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