L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

TH58NVG2S3HBAI4

Fabricants: Toshiba Memory America, Inc.
Catégorie de produits: Memory
Fiche: TH58NVG2S3HBAI4
Description: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 (EEPR
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Memory America, Inc.
Catégorie de produits Memory
Série -
Emballage Tray
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille de mémoire 4Gb (512M x 8)
Type de mémoire Non-Volatile
Statut de la partie Active
Format de mémoire FLASH
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 63-BGA
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Paquet d’appareils fournisseur 63-BGA (9x11)
Temps de cycle d’écriture - Mot, Page 25ns

En stock 210 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.34 $5.23 $5.13

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

AS4C32M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
$6.06
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR
Micron Technology Inc.
$10.24
MR45V200BRAZAARL
ROHM Semiconductor
$7.32
AS4C128M16D3LC-12BAN
Alliance Memory, Inc.
$7.22
TH58NYG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
$8.6
IS34ML04G084-TLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$9.98