L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

TH58NYG3S0HBAI4

Fabricants: Toshiba Memory America, Inc.
Catégorie de produits: Memory
Fiche: TH58NYG3S0HBAI4
Description: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Memory America, Inc.
Catégorie de produits Memory
Série -
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Heure d’accès 25ns
Taille de mémoire 8Gb (1G x 8)
Type de mémoire Non-Volatile
Statut de la partie Active
Format de mémoire FLASH
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 63-VFBGA
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Paquet d’appareils fournisseur 63-TFBGA (9x11)
Temps de cycle d’écriture - Mot, Page 25ns

En stock 210 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.60 $8.43 $8.26

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

IS34ML04G084-TLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$9.98
AS4C256M16D3LB-10BIN
Alliance Memory, Inc.
$9.98
AS4C512M8D3LB-12BAN
Alliance Memory, Inc.
$13.4
AS4C512M16D3LA-10BCN
Alliance Memory, Inc.
$24.3
FT24C16A-USR-T
Fremont Micro Devices Ltd
$0.16
AT25040B-MAHL-T
Microchip Technology
$0.1