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QJD1210010
| Fabricants: | Powerex, Inc. |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Fiche: | QJD1210010 |
| Description: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Powerex, Inc. |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | - |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Emballage | Bulk |
| Fet, fonction | Silicon Carbide (SiC) |
| Statut de la partie | Active |
| Puissance - Max | 1080W |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / Cas | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Paquet d’appareils fournisseur | Module |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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