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EPC2103ENG
| Fabricants: | EPC |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Fiche: | EPC2103ENG |
| Description: | GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | eGaN® |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Emballage | Bulk |
| Fet, fonction | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Statut de la partie | Active |
| Puissance - Max | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 5V |
| Paquet d’appareils fournisseur | Die |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 80V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 23A |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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