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IRFB3006GPBF

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IRFB3006GPBF
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HEXFET®
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Not For New Designs
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 375W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220AB
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8970pF @ 50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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