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SI3460DV-T1-E3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI3460DV-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 1.1W (Ta)
Paquet d’appareils fournisseur 6-TSOP
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 5.1A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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