Fabricants: | Infineon Technologies |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Fiche: | IRF8910PBF |
Description: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Infineon Technologies |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | HEXFET® |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Emballage | Tube |
Fet, fonction | Logic Level Gate |
Statut de la partie | Discontinued at Digi-Key |
Puissance - Max | 2W |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Numéro de pièce de base | IRF8910PBF |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
Paquet d’appareils fournisseur | 8-SO |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 10V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 10A |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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