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PMWD19UN,518

Fabricants: NXP USA Inc.
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fiche: PMWD19UN,518
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant NXP USA Inc.
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchMOS™
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Emballage Digi-Reel®
Fet, fonction Logic Level Gate
Statut de la partie Obsolete
Puissance - Max 2.3W
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
Paquet d’appareils fournisseur 8-TSSOP
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1478pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 5.6A

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