Fabricants: | NXP USA Inc. |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Fiche: | PMWD19UN,518 |
Description: | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | NXP USA Inc. |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | TrenchMOS™ |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Emballage | Digi-Reel® |
Fet, fonction | Logic Level Gate |
Statut de la partie | Obsolete |
Puissance - Max | 2.3W |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Paquet d’appareils fournisseur | 8-TSSOP |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1478pF @ 10V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 5.6A |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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