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BSC084P03NS3EGATMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: BSC084P03NS3EGATMA1
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
FET Type P-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 110µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-TDSON-8-5
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 57.7nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4240pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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