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IPD180N10N3GBTMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPD180N10N3GBTMA1
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 71W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-TO252-3
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 43A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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