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IXTP8N65X2M

Fabricants: IXYS
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IXTP8N65X2M
Description: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant IXYS
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 32W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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