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IXTP1R6N100D2

Fabricants: IXYS
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IXTP1R6N100D2
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant IXYS
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction Depletion Mode
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V
Dissipation de puissance (Max) 100W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220AB
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 1.6A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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