L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

GSID150A120S6A4

Fabricants: Global Power Technologies Group
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Modules
Fiche: GSID150A120S6A4
Description: SILICON IGBT MODULES
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Global Power Technologies Group
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Modules
Entrée Standard
Série Amp+™
IGBT Type -
Statut de la partie Active
Puissance - Max 1035W
Configuration Single
Type de montage Chassis Mount
Thermistor du CNT Yes
Paquet / Cas Module
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Paquet d’appareils fournisseur Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 275A
Capacité d’entrée (Cies) @ Vce 20.2nF @ 25V
Courant - Seuil de collection (Max) 1mA
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 1200V

En stock 0 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$108.51 $106.34 $104.21

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

FF225R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
$107.51
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$107.14
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
$106.93
FF200R12KE4PHOSA1
Infineon Technologies
$106.88
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
$106.56
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
$106.12