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FF225R12ME4BOSA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Modules
Fiche: FF225R12ME4BOSA1
Description: IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Modules
Entrée Standard
Série -
IGBT Type Trench Field Stop
Statut de la partie Active
Puissance - Max 1050W
Configuration 2 Independent
Type de montage Chassis Mount
Thermistor du CNT Yes
Paquet / Cas Module
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Paquet d’appareils fournisseur Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 225A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 320A
Capacité d’entrée (Cies) @ Vce 13nF @ 25V
Courant - Seuil de collection (Max) 3mA
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 1200V

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