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SI7956DP-T1-E3
| Fabricants: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Fiche: | SI7956DP-T1-E3 |
| Description: | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Emballage | Digi-Reel® |
| Fet, fonction | Logic Level Gate |
| Statut de la partie | Active |
| Puissance - Max | 1.4W |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Numéro de pièce de base | SI7956 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 4.1A, 10V |
| Paquet d’appareils fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 150V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 2.6A |
En stock 2978 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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