L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

DMG4N60SJ3

Fabricants: Diodes Incorporated
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: DMG4N60SJ3
Description: MOSFET NCH 600V 3A TO251
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Diodes Incorporated
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 41W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-251
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 0 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

DMG4N60SCT
Diodes Incorporated
$0
NVTFS5820NLTAG
ON Semiconductor
$0
IPU80R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
$0
IPU80R2K8CEAKMA1
Infineon Technologies
$0
IPD60R380E6ATMA2
Infineon Technologies
$0
IPU60R1K4C6BKMA1
Infineon Technologies
$0