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IPU80R2K8CEAKMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPU80R2K8CEAKMA1
Description: MOSFET N-CH 800V TO251-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 120µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 42W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-TO251-3
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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