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SQD50N06-09L_GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SQD50N06-09L_GE3
Description: MOSFET N-CH 60V 50A
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 136W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-252, (D-Pak)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3065pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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