Fabricants: | Vishay / Siliconix |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Fiche: | SISF02DN-T1-GE3 |
Description: | MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | TrenchFET® Gen IV |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Emballage | Digi-Reel® |
Fet, fonction | Standard |
Statut de la partie | Active |
Puissance - Max | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | PowerPAK® 1212-8SCD |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 7A, 10V |
Paquet d’appareils fournisseur | PowerPAK® 1212-8SCD |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2650pF @ 10V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 30.5A (Ta), 60A (Tc) |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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