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SISF02DN-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fiche: SISF02DN-T1-GE3
Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET® Gen IV
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Emballage Digi-Reel®
Fet, fonction Standard
Statut de la partie Active
Puissance - Max 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 7A, 10V
Paquet d’appareils fournisseur PowerPAK® 1212-8SCD
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2650pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 30.5A (Ta), 60A (Tc)

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