Fabricants: | Vishay / Siliconix |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | SIS612EDNT-T1-GE3 |
Description: | MOSFET N-CH 20V 50A SMT |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | TrenchFET® |
FET Type | N-Channel |
Emballage | Digi-Reel® |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Obsolete |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | PowerPAK® 1212-8S |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 14A, 4.5V |
Dissipation de puissance (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 10V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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