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SIS612EDNT-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SIS612EDNT-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 14A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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