L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

SIS434DN-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SIS434DN-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PowerPAK® 1212-8
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1530pF @ 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 26973 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

IRFR5505TRPBF
Infineon Technologies
$0
CSD19538Q3AT
Texas Instruments
$0
AON6512
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
STD1NK80ZT4
STMicroelectronics
$0
IRF7478TRPBF
Infineon Technologies
$0
CSD17310Q5A
Texas Instruments
$0