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SIS126DN-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SIS126DN-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 80V PP 1212-8
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET® Gen IV
FET Type N-Channel
Emballage Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PowerPAK® 1212-8
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1402pF @ 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

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