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SIRA28BDP-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SIRA28BDP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET® Gen IV
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) +20V, -16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PowerPAK® SO-8
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 582pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 18A (Ta), 38A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 6040 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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