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SIHP11N80E-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SIHP11N80E-GE3
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série E
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 179W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220AB
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 27 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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