L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

SIA477EDJT-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SIA477EDJT-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET® Gen III
FET Type P-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 19W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 6V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 0 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

SIA446DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SISS27ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0.35
IPD060N03LGATMA1
Infineon Technologies
$0
BSO613SPVGHUMA1
Infineon Technologies
$1.01
DMT6010LPS-13
Diodes Incorporated
$0
RSH065N06TB1
ROHM Semiconductor
$0