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SI8481DB-T1-E1

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI8481DB-T1-E1
Description: MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET® Gen III
FET Type P-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 4-UFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 2.8W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 9.7A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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