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SI7956DP-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fiche: SI7956DP-T1-GE3
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Emballage Digi-Reel®
Fet, fonction Logic Level Gate
Statut de la partie Active
Puissance - Max 1.4W
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas PowerPAK® SO-8 Dual
Numéro de pièce de base SI7956
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V
Paquet d’appareils fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 150V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 2.6A

En stock 12672 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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