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SI5902BDC-T1-E3

Fabricants:	Vishay / Siliconix
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fiche:	SI5902BDC-T1-E3
Description:	MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET®
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Emballage	Digi-Reel®
Fet, fonction	Logic Level Gate
Statut de la partie	Active
Puissance - Max	3.12W
Type de montage	Surface Mount
Paquet / Cas	8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	4A (Tc)