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SI4900DY-T1-E3
| Fabricants: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Fiche: | SI4900DY-T1-E3 |
| Description: | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Emballage | Digi-Reel® |
| Fet, fonction | Logic Level Gate |
| Statut de la partie | Active |
| Puissance - Max | 3.1W |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Numéro de pièce de base | SI4900 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.3A, 10V |
| Paquet d’appareils fournisseur | 8-SO |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 5.3A |
En stock 11224 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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