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SI4866DY-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI4866DY-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 1.6W (Ta)
Paquet d’appareils fournisseur 8-SO
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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