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SI4778DY-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI4778DY-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur 8-SO
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 13V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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