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SI4425FDY-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI4425FDY-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 30-V (D-S) SO-8
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET® Gen IV
FET Type P-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) +16V, -20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur 8-SOIC
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1620pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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