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SI3493BDV-T1-E3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI3493BDV-T1-E3
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type P-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur 6-TSOP
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43.5nC @ 5V
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1805pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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