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SI3442BDV-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI3442BDV-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 860mW (Ta)
Paquet d’appareils fournisseur 6-TSOP
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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