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SI2369DS-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI2369DS-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type P-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.4A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-236
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1295pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 146662 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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