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SI2365EDS-T1-GE3
| Fabricants: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fiche: | SI2365EDS-T1-GE3 |
| Description: | MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | TrenchFET® |
| FET Type | P-Channel |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet, fonction | - |
| Statut de la partie | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (Max) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Paquet d’appareils fournisseur | TO-236 |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 8V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 5.9A (Tc) |
| Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
En stock 33000 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.09 | $0.09 | $0.09 |
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