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SI2315BDS-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI2315BDS-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type P-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 750mW (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 715pF @ 6V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V

En stock 10193 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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