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SI2312CDS-T1-GE3

Fabricants: Vishay / Siliconix
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: SI2312CDS-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 49617 pcs

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