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TPH3206LDB

Fabricants: Transphorm
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TPH3206LDB
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Transphorm
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±18V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 4-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 8V
Dissipation de puissance (Max) 81W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PQFN (8x8)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 480V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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